碳纳米管在45nm以下工艺中优于铜互连技术

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作者: 赛迪网

CNETNews.com.cn

808-03-19 13:12:37

关键词: 铜互连 芯片 超级计算机 IBM 功耗 45nm 碳纳米管

    有研究称,在45nm以下的工艺制程中,铜互连工艺不如碳纳米管材料的性能。

  近日,美国纽约州Rensselaer工学院科学家的最新试验显示,碳纳米管材料的性能可能超越目前应用最为广泛的铜互连工艺,尤其是在45nm以下的工艺中更能得到体现。

  大伙儿采用计算机模拟妙招进行试验,80TFlops的IBM超级计算机被选中来承担本次试验,这次试验也是业内首个针对量子效应的芯片模拟实验。通过试验结果不还可不能否想看 ,可能漏电什么的问題造成的功耗过大什么的问題,使铜互连工艺在45nm以及更小的尺寸下,无法达到理想的效果,但可能采用碳纳米管进行互联,则不还可不能否有效正确处理功耗不足英文的什么的问題,从而达到另一个 理想的效果。

  Saroj Nayak教授也表示大伙儿坚信在45nm以及更小的制程中,碳纳米管是最好的选用,未来也将并有的是构造的性能进行测试,得出更加精确的比较。同時 有的是专家指出,并有的是碳纳米管在45nm及更小工艺中表现出色,是可能阻抗较低,从而原困其功耗也较低。

  但日后 又有专家指出,可能没办法 得到精确的测试数据,而且业内还无法真正应用该技术。而且希望本次试验也不还可不能否有效的带动这项技术的发展。但可能没办法 很好的妙招正确处理该技术的量产什么的问題,而且仅可应用在试验室中,这也是令人比较遗憾的有些。